Memória RAM Para Notebook Kingston, 8GB, 1600MHz, DDR3L - KVR16LS11/8
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Memória RAM Para Notebook Kingston
As Memórias ValueRAM da Kingston® para Notebooks são extremamente confiáveis, pois foram projetadas e 100% testadas para assegurar compatibilidade com todas as marcas de placas mães mais conhecidas do mercado. Ideal para aqueles que procuram o melhor custo x benefício em memórias padrão do setor.
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Características:
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR16LS11/8
Especificações Técnicas:
- CL(IDD): 11 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.)
- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.)
- Consumo de energia :2.376 W* UL
- Rating: 94 V - 0
- Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
- Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC
- Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V) 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes
- Latência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6
- Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch
- Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
- Data Strobe Diferencial bi-direcional
- Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Terminação no Die usando o pino ODT
- Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
- Reset assíncrono PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados
Conteúdo da Embalagem:
- Memória RAM Para Notebook Kingston
- Marca: Kingston
- Modelo: KVR16LS11/8
Especificações Técnicas:
- CL(IDD): 11 ciclos
- Row Cycle Time (tRCmin): 48.125ns (mín.)
- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.)
- Row Active Time (tRASmin): 35ns (min.)
- Consumo de energia :2.376 W* UL
- Rating: 94 V - 0
- Temperatura de Operação: 0oC a 85oC
- Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC
- Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V) 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes
- Latência CAS Programável:11, 10, 9, 8, 7, 6
- Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch
- Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS]
- Data Strobe Diferencial bi-direcional
- Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Terminação no Die usando o pino ODT
- Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
- Reset assíncrono PCB: Altura 1.180 (30mm), com componentes de ambos os lados
Conteúdo da Embalagem:
- Memória RAM Para Notebook Kingston
Altura Real
0
Largura Real
0
Profundidade Real
0
Peso Real
0
Garantia do Fornecedor
12 meses
Peso:
16 gramas (bruto com embalagem)